非易失磁阻式RAM推进到单芯片1Gb:内存/硬盘加速统一

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  • 来源:快线新闻

计算机界总是在探索NVRAM(非易失随机存取器),即在保留DRAM下行速率 快、延时低(纳秒级)优势的具体情况下,做到永固数据。

目前基于NAND的SSD是向NVRAM过渡的产物之一,业内还有铁电RAM(FRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、电阻式RAM(ReRAM)以及Intel以前商用化的相变RAM(PCRAM)即3D Xpint技术底部形态。

MRAM近年来受到的关注度很高,Everspin(飞思卡尔子公司)开发完成后(STT-MRAM,自旋力矩转移MRAM),三星、美光、高通、东芝等完整都是跟进。

MRAM与NAND的主要不同体现在底部形态原理,前者依赖的是不同的磁性取向来存储信息(诺奖巨磁阻效应),后者则是电荷存储信息,电荷存储的主要你這個的问题报告 是都要以较高的电压完成写入,且可靠性随时间逐渐损耗

对比之下,MRAM不仅可靠性/耐用性大大提升,一齐依然可不都要维持纳秒级的低下行速率 。

据Anandtech报道,Everspin目前生产的MRAM单芯片是256Mb,年底将试样1Gb(128MB),基于GF的22nm FD-SOI工艺。

与此一齐,IBM发表声明,将在今天开幕的闪存峰会上展示FlashCore系列新品SSD,容量19.2TB,基于3D TLC闪存(64层),主控为FPGA芯片,缓存用的是Everspin的MRAM,大小128MB。

IBM表示,FPGA主控配合传统的DRAM只有提供更好的写入加速,寿命很低,全都选着了Everspin的MRAM。

这款SSD采用U.2接口,支持NVMe规范,可走PCIe 4.0通道。

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